単結晶基板 サファイア基板 片面鏡面 方位 C(0001) 10×10×0.5mm 1枚 SAP-C-S-□10-1

製品データ

品番 3-4953-01
製品名称 単結晶基板 サファイア基板 片面鏡面 方位 C(0001) 10×10×0.5mm 1枚 SAP-C-S-□10-1 型番 : SAP-C-S-□10-1
商品名 単結晶基板 サファイア基板 片面鏡面 方位 C(0001) 10×10×0.5mm 1枚 SAP-C-S-□10-1
JANコード 0000000000000
型番 SAP-C-S-□10-1
定価(円・税抜) 6000
特徴 ●汎用的な成膜用基板として使用されています。
仕様 ●仕様:サファイア基板●サイズ:10×10×0.5mm●方位:C(0001)●研磨:片面鏡面●入数:1枚●●AXEL・カタログ掲載商品以外にも下記のとおり多数単結晶基板を取り扱っております。●①酸化物単結晶●▼Anatase(アナターゼ)、CoO(酸化コバルト)、Cr2O3(酸化クロム)、Cu2O(酸化銅)、DyScO3(スカンジウム酸ジスプロスイム)、Fe2O3(三酸化二鉄)、Fe3O4(四酸化三鉄)、GdScO3(スカンジウム酸ガドリニウム)、KTaO3(タンタル酸カリウム)、LaSrAlO4(ランタンストロンチウムアルミネート)、LaSrGaO4(ランタンストロンチウムガレート)、MnO(酸化マンガン)、NdScO3(スカンジウム酸ネオジウム)、NiO(酸化ニッケル)、SGGG(置換型ガドリウム・ガリウム・ガーネット)、SnO2(酸化スズ)、YAG(イットリウム・アルミニウム・ガーネット)、YAlO3(イットリウム・アルミネート)、など。●②半導体単結晶●▼Ge(ゲルマニウム)、GaP(ガリウムリン)、GaN(ガリウムナイトライド)、InP(インジウムリン)、SiC(炭化珪素)など。●③フッ化物単結晶●▼LiF(フッ化リチウム)、LaF3(フッ化ランタン)、MgF2(フッ化マグネシウム)、SrF2(フッ化ストロンチウム)、KBr(臭化カリウム)、KCl(塩化カリウム)、NaCl(塩化ナトリウム)など。●④金属単結晶●▼Ag(銀)、Al(アルミニウム)、Au(金)、Bi(ビスマス)、Cd(カドミウム)、Co(コバルト)、Cr(クロム)、Cu(銅)、Dy(ジスプロシウム)、Er(エルビウム)、Fe(鉄)、Gd(ガドリニウム)、Hf(ハフニウム)、Ho(ホロニウム)、In(インジウム)、Ir(イリジウム)、Li(リチウム)、Mg(マグネシウム)、Mo(モリブデン)、Nb(ニオブ)、Ni(ニッケル)、NiAl(ニッケルアルミニウム)、Pb(鉛)、Pd(パラジウム)、Pt(白金)、Re(レニウム)、Rh(ロジウム)、Ru(ルテニウム)、Sb(アンチモン)、Sn(スズ)、Ta(タンタル)、Tb(テルビウム)、Te(テルル)、Ti(チタン)、V(バナジウム)、W(タングステン)、Y(イットリウム)、Zn(亜鉛)、Zr(ジルコニウム)、合金結晶など。●⑤その他●▼ダイヤモンドなど。●●※ご注文、お見積りについて●下記内容をご確認の上ご依頼ください。●▼①結晶名(化学式)●▼②サイズ(縦横、または直径(mm))●▼③厚み(mm)●▼④方位 例:(100)、(110)、(111)●▼※金属単結晶の場合は、右記方位精度の選択をお願いします。(±0.1°、±0.4°、±1°、±2°)●▼⑤表面仕上(片面鏡面、両面鏡面、粗面(未研磨)、切断)●▼⑥数量●▼⑦その他(面内方位の有無、穴あけ加工など)

製品カテゴリ

大分類名 研究用素材・材料(金属・樹脂・セラミック・ガラス等)
中分類名 研究用素材・材料(金属・樹脂・セラミック・ガラス等)
小分類名 コネクター、フィッティング、チューブ、素材

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